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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱(chēng):沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做
詳情介紹:

HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用范圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類(lèi)高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊,雷電截?cái)嗖?,操作沖擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類(lèi)沖擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來(lái)的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備制造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專(zhuān)院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。一般有由速度測(cè)量進(jìn)行推演、已知質(zhì)量物體加速度所產(chǎn)生動(dòng)力,即應(yīng)用應(yīng)變儀測(cè)量此力進(jìn)行推演,還有就是下面所說(shuō)的方法:與被測(cè)加速度有關(guān)的力可由一個(gè)已知質(zhì)量產(chǎn)生。這種力可以為電磁力或電動(dòng)力,終簡(jiǎn)化為對(duì)電流的測(cè)量,這就是伺服返回傳感器,實(shí)際又能有多種振動(dòng)式加速度傳感器。力覺(jué)傳感器力覺(jué)傳感器用于測(cè)量?jī)晌矬w之間作用力的三個(gè)分量和力矩的三個(gè)分量。機(jī)器人中理想的傳感器是粘接在依從部件的半導(dǎo)體應(yīng)力計(jì)。具體有金屬電阻型力覺(jué)傳感器、半導(dǎo)體型力覺(jué)傳感器、其它磁性壓力式和利用弦振動(dòng)原理制作的力覺(jué)傳感器。

 

產(chǎn)品別稱(chēng):沖擊電壓發(fā)生器,雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電沖擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

目前很多偏僻的地方和部分城市抄電表還是人工的方式,費(fèi)時(shí)費(fèi)力,也有很多地區(qū)通過(guò)蓋章升級(jí)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了集中抄表。遠(yuǎn)程電表抄表系統(tǒng)主要包括電表、采集器、集中器、主站管理中心。遠(yuǎn)程電表抄表系統(tǒng)框架目前遠(yuǎn)程電表抄表系統(tǒng)主要包括電表、采集器、集中器、主站管理中心。如圖1所示。采集器通過(guò)總線方式(多為485總線)收集電表信息,然后再通過(guò)總線將信息傳輸?shù)郊衅魃?,集中器可通過(guò)以太網(wǎng)或者公網(wǎng)無(wú)線方式和主站管理中線通信。系統(tǒng)中采集器和集中器容易產(chǎn)生混淆。沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做
HN
CJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,并采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用系數(shù)高,雷電波和操作波分別不低于85%80%

 

3、調(diào)波方便,操作簡(jiǎn)單,同步性能好,動(dòng)作可靠。按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的范圍:2.7V-3.6V;不允許超出此范圍,否則,芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn),甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來(lái)影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置,究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限制?詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示:如何去測(cè)試“高頻開(kāi)關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來(lái)的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端,而通過(guò)后端的外圍模塊后在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,電源通過(guò)了一段PCB走線,包括一些芯片回路,應(yīng)該存在高頻的噪聲,如果采用20MHZ的帶寬限制,實(shí)際上是將原本屬于模塊的噪聲給濾掉了,為此,我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證:步,我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出,如下圖:通過(guò)直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的;通過(guò)測(cè)試,我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V(500MHZ帶寬測(cè)量)左右,峰峰值29mV,是非常穩(wěn)定的供電;可以排除源端供電的問(wèn)題,接下來(lái),我們直接在通過(guò)整個(gè)模塊后在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量,如下圖:當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲,使得電壓超出了規(guī)范要求的范圍,值達(dá)到了3.814V,峰峰值達(dá)854mV;但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候,高頻開(kāi)關(guān)電源變的非常好,完全在供電要求的范圍內(nèi);正如在本文開(kāi)頭描述的,在本次高頻開(kāi)關(guān)電源測(cè)試過(guò)程中,已經(jīng)不是高頻開(kāi)關(guān)電源紋波測(cè)量,而應(yīng)該是噪聲。沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 工頻交流耐壓測(cè)試儀定制定做

 

4、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗干擾能力強(qiáng)。

 


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