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HNZDL系列可編程直流恒流大電流電源 交直流儀表檢定裝置 30年經(jīng)驗(yàn) 交流變送器檢定裝置 交直流標(biāo)準(zhǔn)源
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高壓大功率穩(wěn)壓電源具有高穩(wěn)定性和可靠性、控制靈活方便、可實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程控制、率、低功耗、相對(duì)尺寸小、抗打火,耐沖擊等特點(diǎn)。
此電源已應(yīng)用在工業(yè)等領(lǐng)域,如試驗(yàn)、氣體放電、給電容充電、磁控管、供電及靜電紡絲生產(chǎn)設(shè)備上,也可應(yīng)用于元器件的測(cè)試?yán)蠠捈捌渌磺行枰褂酶邏旱膱?chǎng)合。
我們可根據(jù)客戶(hù)的要求定制高電壓的大功率電源,電壓可連續(xù)可調(diào),有短路、過(guò)壓、過(guò)流保護(hù),可長(zhǎng)期滿(mǎn)載連續(xù)穩(wěn)定的工作。
輸入電壓:AC380V±10℅,50Hz
輸出電壓:0-6000V可調(diào)輸出 或 固定輸出 根據(jù)客戶(hù)要求
輸出電流:0-100KA可調(diào)輸出
另外,晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲,其產(chǎn)生機(jī)理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近,也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的散粒噪聲由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢(shì)壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變,從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí),N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動(dòng),相當(dāng)于對(duì)電容充電。當(dāng)正向電壓減小時(shí),它又使電子和空穴遠(yuǎn)離耗盡區(qū),相當(dāng)于電容放電。當(dāng)外加反向電壓時(shí),耗盡區(qū)的變化相反。當(dāng)電流流經(jīng)勢(shì)壘區(qū)時(shí),這種變化會(huì)引起流過(guò)勢(shì)壘區(qū)的電生微小波動(dòng),從而產(chǎn)生電流噪聲。
MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS。

進(jìn)口可控硅作為功率器件,原裝富士模塊作為調(diào)壓穩(wěn)壓器件。與市場(chǎng)上普通的繼電器調(diào)壓式和調(diào)壓變壓器調(diào)壓式直流電源相比,具有精度高,紋波小,穩(wěn)定性極高的特點(diǎn)。電壓電流值從零至額定值連續(xù)可調(diào),恒壓恒流自動(dòng)轉(zhuǎn)換在確定范圍內(nèi)任意選擇且限制保護(hù)點(diǎn)。電壓、電流同時(shí)LED數(shù)碼管顯示。廣泛應(yīng)用于各大專(zhuān)院校實(shí)驗(yàn)室,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,電子檢驗(yàn)設(shè)備,生產(chǎn)線的電阻器、繼電器,馬達(dá)等電子元件老練,例行試驗(yàn),電解電容器老練,鉭電容器賦能。通訊設(shè)備。自動(dòng)老化設(shè)備等一切需要直流電源的場(chǎng)合
