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HNZDL系列可編程直流恒流大電流電源 多功能指示儀表校驗(yàn)臺(tái) HN系列 三相交直流采樣變送器校驗(yàn)臺(tái) 三相程控功率源
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高壓大功率穩(wěn)壓電源具有高穩(wěn)定性和可靠性、控制靈活方便、可實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程控制、率、低功耗、相對(duì)尺寸小、抗打火,耐沖擊等特點(diǎn)。
此電源已應(yīng)用在工業(yè)等領(lǐng)域,如試驗(yàn)、氣體放電、給電容充電、磁控管、供電及靜電紡絲生產(chǎn)設(shè)備上,也可應(yīng)用于元器件的測(cè)試?yán)蠠捈捌渌磺行枰褂酶邏旱膱?chǎng)合。
我們可根據(jù)客戶的要求定制高電壓的大功率電源,電壓可連續(xù)可調(diào),有短路、過壓、過流保護(hù),可長(zhǎng)期滿載連續(xù)穩(wěn)定的工作。
輸入電壓:AC380V±10℅,50Hz
輸出電壓:0-6000V可調(diào)輸出 或 固定輸出 根據(jù)客戶要求
輸出電流:0-100KA可調(diào)輸出
半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成,晶圓制造和芯片封裝討論較多,而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化,下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容,主要集中在WAT,CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT(WaferAcceptanceTest)測(cè)試,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),對(duì)Wafer劃片槽(ScribeLine)測(cè)試鍵(TestKey)的測(cè)試,通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定,CMOS的電容,電阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù),測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上,由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容,測(cè)完某條TestKey后,ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey,直到整片Wafer測(cè)試完成。
功率的增大以及形狀因數(shù)的變小迫使工廠擯棄成熟的線性穩(wěn)壓器方案,轉(zhuǎn)而采用開關(guān)穩(wěn)壓器方案。而采用開關(guān)穩(wěn)壓器又產(chǎn)生了新的挑戰(zhàn)。由于電感器要求使用額外的區(qū)域,因此開關(guān)穩(wěn)壓器形狀因數(shù)較大。必須考慮穩(wěn)壓器開關(guān)頻率與測(cè)量信號(hào)頻率之間的關(guān)系。轉(zhuǎn)換器的布局更加關(guān)鍵。設(shè)計(jì)的開關(guān)穩(wěn)壓器會(huì)提高本底噪聲,并產(chǎn)生不必要的電磁兼容性(EMC),將會(huì)干擾小型信號(hào)的檢測(cè)。幸運(yùn)的是,我們目前提供了集成電感器DC/DC開關(guān)穩(wěn)壓器,可以限度地減少此類挑戰(zhàn)。

進(jìn)口可控硅作為功率器件,原裝富士模塊作為調(diào)壓穩(wěn)壓器件。與市場(chǎng)上普通的繼電器調(diào)壓式和調(diào)壓變壓器調(diào)壓式直流電源相比,具有精度高,紋波小,穩(wěn)定性極高的特點(diǎn)。電壓電流值從零至額定值連續(xù)可調(diào),恒壓恒流自動(dòng)轉(zhuǎn)換在確定范圍內(nèi)任意選擇且限制保護(hù)點(diǎn)。電壓、電流同時(shí)LED數(shù)碼管顯示。廣泛應(yīng)用于各大專院校實(shí)驗(yàn)室,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,電子檢驗(yàn)設(shè)備,生產(chǎn)線的電阻器、繼電器,馬達(dá)等電子元件老練,例行試驗(yàn),電解電容器老練,鉭電容器賦能。通訊設(shè)備。自動(dòng)老化設(shè)備等一切需要直流電源的場(chǎng)合
