青島華能HN系列 互感器全自動(dòng)檢測(cè)裝置 售后完善HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線(xiàn)、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.但問(wèn)題來(lái)了，電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)的TN曲線(xiàn)和普通的電機(jī)不同，具有恒功率區(qū)域?qū)挘ㄒ话愫愎β蕝^(qū)域能到峰值轉(zhuǎn)速的80%~）、峰值轉(zhuǎn)速高（10000rpm以上）的特點(diǎn)，這意味著電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)既能實(shí)現(xiàn)高速小扭矩工況，也能實(shí)現(xiàn)低速大扭矩工況，對(duì)測(cè)功機(jī)的TN特性提出了非常高的要求。這時(shí)我們發(fā)現(xiàn)，如果要滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)的全程TN曲線(xiàn)加載，普通的測(cè)功機(jī)根本無(wú)法滿(mǎn)足。因?yàn)槠胀y(cè)功機(jī)一般是用磁滯制動(dòng)器、電渦流制動(dòng)器、磁粉制動(dòng)器或變頻電機(jī)作為負(fù)載的，而這些機(jī)械負(fù)載的特性曲線(xiàn)，都各自存在自己的短板：磁粉制動(dòng)器：可以輸出很大的扭矩，但一般只能運(yùn)行在低轉(zhuǎn)速（1000rpm）以下，只適用于大扭矩、低轉(zhuǎn)速的電機(jī)測(cè)試場(chǎng)合。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線(xiàn)、 5％誤差曲線(xiàn)、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。具體為：在測(cè)距精度上，從初的米級(jí)逐步提高到分米級(jí)、厘米級(jí)，目前上進(jìn)的臺(tái)站其測(cè)距精度已能達(dá)到毫米級(jí)。在測(cè)距能力上，從初的遠(yuǎn)1～2km提高到2萬(wàn)km，乃至3.6萬(wàn)km。激光測(cè)月的實(shí)現(xiàn)使測(cè)距能力達(dá)到了38萬(wàn)km。在測(cè)距頻率上，從初的每秒一次發(fā)展到目前每秒1～2次，更高頻率的激光測(cè)距（如1kHz測(cè)距）也在試驗(yàn)中。在測(cè)距波長(zhǎng)上，目前普遍采用的仍是單色測(cè)距系統(tǒng)，一些臺(tái)站也在使用雙色／多色激光測(cè)距系統(tǒng)。

具體接線(xiàn)步驟和說(shuō)明如下：

斷開(kāi)電力線(xiàn)與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線(xiàn)較長(zhǎng)，會(huì)給CT一次側(cè)的測(cè)量引入較大干擾，參見(jiàn)圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.3所示，斷開(kāi)被測(cè)CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對(duì)變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測(cè)試時(shí)，沒(méi)有測(cè)試的二次繞組應(yīng)短接，否則測(cè)試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠(chǎng)出貨到封測(cè)廠(chǎng)的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級(jí)繞組的比差角差測(cè)量時(shí)應(yīng)按照?qǐng)D3同時(shí)觀(guān)測(cè)了兩個(gè)通道的時(shí)域波形及頻譜，并且采用了重疊顯示，以便于頻譜之間的對(duì)比。SpectrumView支持移動(dòng)SpectrumTime的位置，如標(biāo)記處所示，以觀(guān)測(cè)不同時(shí)刻的頻譜。每個(gè)通道SpectrumTime的位置默認(rèn)是聯(lián)動(dòng)的，這保證了各個(gè)通道測(cè)試頻譜的相關(guān)性。當(dāng)取消聯(lián)動(dòng)設(shè)置后，也可以立設(shè)置每個(gè)通道的SpectrumTime位置。所有通道的頻譜共用相同的Span、RBW、FFTWindow，這一點(diǎn)與時(shí)域要求多通道間共用采樣率、水平時(shí)基及觸發(fā)類(lèi)似。.4.1進(jìn)行接線(xiàn)具體接線(xiàn)步驟和說(shuō)明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.6所示，斷開(kāi)PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見(jiàn)圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時(shí)，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)在實(shí)際應(yīng)用中測(cè)量的電阻電壓越低，熱電效應(yīng)就越顯著。所以這個(gè)電壓的影響取決于具體的應(yīng)用。用戶(hù)的硬件系統(tǒng)很少有能力能消除熱電動(dòng)勢(shì)電壓，因?yàn)樵谟美^電器系統(tǒng)模擬電阻時(shí)就應(yīng)該考慮到這一點(diǎn)。基于繼電器的高精度程控電阻模塊具有熱電動(dòng)勢(shì)的是40-260，40-261，40-262，40-263和40-265。40-297系列具有低的熱電動(dòng)勢(shì)，因?yàn)樗褂玫脑O(shè)計(jì)方法可以盡量的減少熱電效應(yīng)，但是有更多的繼電器串聯(lián)。青島華能HN系列 互感器全自動(dòng)檢測(cè)裝置 售后完善