HN300電纜故障測(cè)試儀 電纜故障測(cè)試儀 HN300系列 電纜故障路徑儀生產(chǎn)廠家

 用于35kV及以下不同等級(jí)、不同截面、不同介質(zhì)及材質(zhì)的電力電纜的各類故障，包括：開(kāi)路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡(luò)性故障。可配合高壓設(shè)備實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電纜故障測(cè)試的低壓脈沖法、沖擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法。 全中文操作軟件和使用界面，子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示，全中文操作軟件和使用界面，子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。RS485是一種非常常用的差分通信總線，傳輸距離較遠(yuǎn)，抗干擾性也很好。但是對(duì)于通訊過(guò)程中的偶然故障，如何才能實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)幾小時(shí)，甚至是幾天的通信過(guò)程監(jiān)控呢？測(cè)試需求：低成本長(zhǎng)期監(jiān)控RS485總線通信過(guò)程。測(cè)試難點(diǎn)：RS485本身是差分總線，需要使用差分才能準(zhǔn)確捕獲信號(hào)，但業(yè)內(nèi)很少有邏輯儀的差分，而且價(jià)值非常昂貴。測(cè)試步驟：先用示波器配合普通看一下波形，如。圖1示波器配合普通捕獲的波形我們可以清楚的看到在通訊協(xié)議信號(hào)上疊加了非常大的共模干擾。

技術(shù)參數(shù)

1. 采樣方法：低壓脈沖法、沖擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法

2. 采樣速率：200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz

3. 脈沖寬度：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs

4. 波速設(shè)置：交聯(lián)、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類型自設(shè)定

5. 沖擊高壓：35kV及以下

6. 測(cè)試距離：＜60km，盲區(qū)≤1m

7. 分 辨 率：1m

8. 測(cè)試精度：1m

9. 顯示方式：工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏

目前T/R組件測(cè)試大多采用串行順序測(cè)試的模式，即執(zhí)行完一個(gè)測(cè)試任務(wù)，再啟動(dòng)另一個(gè)測(cè)試任務(wù)，直至完成測(cè)試。這相當(dāng)于要求幾個(gè)人累計(jì)完成1千米的跑步，現(xiàn)在采用的是接力跑模式，為什么不能根據(jù)每個(gè)人的能力一起跑呢？豈不是更快？多T/R組件并行測(cè)試模式就是在同一時(shí)刻，不同的T/R組件以多線程的方式執(zhí)行不同的測(cè)試任務(wù)，測(cè)試任務(wù)之間所需的儀器和通道并不沖突。并行測(cè)試難點(diǎn)不同于數(shù)字和低頻測(cè)試儀器，當(dāng)今射頻微波測(cè)試儀器自身的測(cè)試通道還比較少，一般也只能完成某一類性能參數(shù)的測(cè)試。

 四、工作原理

       本產(chǎn)品采用的是時(shí)域反射（TDR）原理，即對(duì)電纜發(fā)射一電脈沖，電脈沖將在電纜中勻速傳輸，當(dāng)遇到電纜阻抗發(fā)生變化的地方（故障點(diǎn)），電脈沖將產(chǎn)生反射。測(cè)距主機(jī)將電脈沖的發(fā)射和反射的變化以時(shí)域形式通過(guò)液晶屏顯示出來(lái)，通過(guò)屏幕上的波形可直接判讀故障距離。

① 開(kāi)關(guān)按鍵：按下自鎖接通電源，再按解鎖斷開(kāi)電源。開(kāi)機(jī)2分鐘無(wú)任何操作時(shí)，屏幕將變暗進(jìn)入屏保節(jié)能狀態(tài)。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。

② 充電端口：用于連接充電器，給電池充電。

③ 中值旋鈕：順時(shí)針旋動(dòng)中值向上走動(dòng)；逆時(shí)針旋動(dòng)中值向下走動(dòng)。（需采樣刷新才有變化）大；逆時(shí)針旋動(dòng)幅度減小。（需采樣刷新才有變化）

⑤ 采樣端口：四芯座，用于連接采樣線。大直徑測(cè)徑儀是對(duì)大直徑鋼管、棒材、鋼軸等進(jìn)行在線檢測(cè)的設(shè)備，但為了適用于各規(guī)格軋材的使用，大直徑測(cè)徑儀的量程非常大，本文就介紹一下如何操作選擇合適的量程以應(yīng)對(duì)各規(guī)格的軋材外徑檢測(cè)。大直徑測(cè)徑儀是集光學(xué)、機(jī)械、電子電路、通訊和計(jì)算機(jī)軟件技術(shù)為一身的成套設(shè)備。整套系統(tǒng)主要由探測(cè)頭、安裝框架、導(dǎo)軌滑臺(tái)、工控機(jī)、控制柜等幾部分構(gòu)成。它可自動(dòng)調(diào)節(jié)測(cè)量范圍，方便不同軋材尺寸的在線檢測(cè)，在選擇測(cè)徑儀時(shí)，將生產(chǎn)線上生產(chǎn)的所有規(guī)格的軋材外徑范圍都考慮進(jìn)去，即范圍與范圍，保證測(cè)徑儀的測(cè)量范圍包含所有量程。

⑥ 觸摸式彩色液晶屏：詳見(jiàn)“工作界面介紹”。

按“       ”鍵，彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括：“低壓脈沖”、“閃絡(luò)方法”和“速度測(cè)量”。儀器開(kāi)機(jī)默認(rèn)“低壓脈沖”，根據(jù)測(cè)試需要，可選擇相應(yīng)的采樣方式，再按“采樣方式”鍵退出。

按“       ”鍵，彈出脈沖寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個(gè)選項(xiàng)，分別為：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據(jù)測(cè)試距離選擇合適的脈寬，按對(duì)應(yīng)的子菜單鍵可以對(duì)脈沖寬度進(jìn)行選擇，儀器開(kāi)機(jī)默認(rèn)0.2μs，再按“脈寬”鍵退出此項(xiàng)功能。注意：在高壓閃絡(luò)法測(cè)試中此項(xiàng)不做選擇。

傅立葉變換紅外光譜技術(shù)結(jié)合其多種形式的非接觸測(cè)量方式，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體的主被動(dòng)測(cè)量，非常適合用于化工業(yè)園區(qū)的排放現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)。FTIR技術(shù)用于氣體定量存在兩個(gè)主要問(wèn)題，一是氣體分子吸收截面受氣壓、溫度影響明顯，二是FTIR系統(tǒng)的分辨率一般遠(yuǎn)小于氣體分子譜線的展寬，儀器線型受到干涉圖采樣，切趾和輻射入射立體角等因素影響。這些影響因素使得表觀譜線產(chǎn)生難以忽略的偏移和展寬。20世紀(jì)80年代后期，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，環(huán)境監(jiān)測(cè)技術(shù)迅速發(fā)展，儀器，計(jì)算機(jī)控制等現(xiàn)代化手段在大氣環(huán)境監(jiān)測(cè)中得到了廣泛應(yīng)用，自動(dòng)連續(xù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)相繼問(wèn)世。