HN11C高壓開(kāi)關(guān)綜合測(cè)試儀高壓開(kāi)關(guān)測(cè)試儀 HN11C系列 智能模擬斷路器 用心品質(zhì)
一、功能特點(diǎn) 

測(cè)試指標(biāo)：可測(cè)試國(guó)產(chǎn)（進(jìn)口）真空、六氟化硫、油高壓斷路器，負(fù)荷開(kāi)關(guān)、GIS接地刀閘開(kāi)關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開(kāi)關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道：可抵御550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電干擾！TestCenter具有完全自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。2012年，TestCenter入選國(guó)防科技工業(yè)百項(xiàng)先進(jìn)工業(yè)技術(shù)研究推廣應(yīng)用工程。如所示，為Testercenter的界面，TestCenter可以在多個(gè)測(cè)試領(lǐng)域中被應(yīng)用，包括消費(fèi)類電子產(chǎn)品及裝備的電路板級(jí)、模塊級(jí)、系統(tǒng)級(jí)的功能測(cè)試與故障診斷。Testcenter界面IEEE1232標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介故障診斷在裝備綜合保障中應(yīng)用廣泛，為了規(guī)范測(cè)試診斷過(guò)程和實(shí)現(xiàn)診斷知識(shí)的共享，IEEE制訂了人工智能應(yīng)用于系統(tǒng)測(cè)試與診斷領(lǐng)域的通用標(biāo)準(zhǔn)即IEEE1232標(biāo)準(zhǔn)，也稱作AI-ESTATE標(biāo)準(zhǔn)。

位移通道：1路位移信號(hào)采集，適配耐用的精密電阻線性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶傳統(tǒng)自配的滑線電阻傳感器。

同步觸發(fā)：可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無(wú)電位接點(diǎn)操作控制模塊，無(wú)彈跳接點(diǎn)，接點(diǎn)開(kāi)斷容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界面：5.7″黑白液晶屏，菜單式操作，并在面板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器，傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單；同時(shí)也可配置滑線電阻傳感器和角度傳感器；并配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架；測(cè)試項(xiàng)目:RFID測(cè)試主要是對(duì)讀寫器和標(biāo)簽之間通信的無(wú)線電訊號(hào)進(jìn)行測(cè)量，以此評(píng)估RFID讀寫器的工作狀態(tài)和性能指標(biāo)。本次測(cè)試對(duì)象是低頻RFID讀寫模塊，射頻信號(hào)頻率125KHz，支持識(shí)別EM4001/4002及兼容的ID卡。當(dāng)識(shí)別到ID片時(shí)，模塊TXD管腳會(huì)輸出卡號(hào)信息，信號(hào)類型為TTL-RS232信號(hào)。測(cè)量目標(biāo):射頻信號(hào)的載波頻率，輸出功率，占用帶寬，信道功率等選用儀器:選用鼎陽(yáng)科技SSA3000X頻譜儀，SPD3303X-E線性直流電源和SDS1204X-E超級(jí)熒光示波器，分別用于測(cè)量、供電和信號(hào)。

速度定義：提供了常用的開(kāi)關(guān)速度定義庫(kù)和可編輯速度定義庫(kù)兩種模式可供用戶自行選擇。

錄波功能：12路普通金屬觸頭通斷、線圈電流；行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫(kù)功能，測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫(kù)斷路器型號(hào)，無(wú)需特別設(shè)置

U盤存儲(chǔ)：可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤，直接用上位機(jī)軟件打開(kāi)。

在線幫助：儀器內(nèi)置豐富的接線、安裝、測(cè)試操作幫助。無(wú)說(shuō)明書就能簡(jiǎn)單使用。晶閘管又叫可控硅，是一種在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的大功率半導(dǎo)體器件，主要并廣泛應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓及開(kāi)關(guān)等方面，對(duì)可控硅性能進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)于電控系統(tǒng)的日常維護(hù)、保證正常運(yùn)轉(zhuǎn)具有十分重要的意義。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成，即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極。