HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗(yàn)裝置HNDL 大電流沖擊試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修 

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿(mǎn)足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。所以，非制冷紅外焦平面探測(cè)器是CMOS-MEMS單體集成的大陣列器件。非晶硅紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)應(yīng)用領(lǐng)域非制冷紅外探測(cè)器在**和商用領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用：**領(lǐng)域**領(lǐng)域應(yīng)用包括熱觀瞄（TWS）、便攜式視覺(jué)增強(qiáng)、車(chē)載視覺(jué)增強(qiáng)（DVE）、遠(yuǎn)程站（RWS）、無(wú)人機(jī)（U）、無(wú)人駕駛地面車(chē)輛、觀察指揮車(chē)、火控和制導(dǎo)等，如所示。非制冷紅外探測(cè)器在**領(lǐng)域的主要應(yīng)用熱像測(cè)溫領(lǐng)域熱像測(cè)溫用于預(yù)防性檢測(cè)，對(duì)電力輸電線路、發(fā)電設(shè)備、機(jī)械設(shè)備等通過(guò)紅外熱像儀檢測(cè)異常發(fā)熱區(qū)域，可以預(yù)防重大停機(jī)以及事故的發(fā)生。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC范圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿(mǎn)足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

而對(duì)于支撐端到端傳輸?shù)幕A(chǔ)網(wǎng)絡(luò)而言，低延時(shí)（微秒級(jí)）、無(wú)損（lossless）則是重要的指標(biāo)。低延時(shí)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)主要產(chǎn)生在設(shè)備節(jié)點(diǎn)（這里忽略了光電傳輸延時(shí)和數(shù)據(jù)串行延時(shí)），設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)包括以下三部分：存儲(chǔ)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)：芯片轉(zhuǎn)發(fā)線處理延遲，每個(gè)hop會(huì)產(chǎn)生1微秒左右的芯片處理延時(shí)（業(yè)界也有嘗試使用cut-through模式，單跳延遲可以降低到0.3微秒左右）；Buffer緩存延時(shí)：當(dāng)網(wǎng)絡(luò)擁塞時(shí)，報(bào)文會(huì)被緩存起來(lái)等待轉(zhuǎn)發(fā)。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶(hù)具體需求配置）

三回路配電箱溫升試驗(yàn)裝置HNDL 大電流沖擊試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修移相網(wǎng)絡(luò)移相是指對(duì)于兩路同頻信號(hào)，以其中一路為參考信號(hào)，另一路信號(hào)相對(duì)于該參考信號(hào)做超前或滯后的移相形成相位差。主要有數(shù)字移相法和RC移相兩種。數(shù)字移相法通常采用延時(shí)的方法，以延時(shí)的長(zhǎng)短來(lái)決定兩路數(shù)字信號(hào)間的相位差。數(shù)字移相法移相量可以很大，但是在一個(gè)周期內(nèi)采樣點(diǎn)數(shù)較多，對(duì)AD和RAM的速度要求很高。用RC組成移相網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行移相，由于回路呈容性，信號(hào)經(jīng)過(guò)該網(wǎng)絡(luò)后，相位發(fā)生變化。由于該方案簡(jiǎn)單，很方便實(shí)現(xiàn)-45°到+45°移相，足以滿(mǎn)足需求，所以本系統(tǒng)采用了RC移相法。