安規(guī)測(cè)試儀檢定裝置有以下幾種 回路電阻測(cè)試儀校驗(yàn)儀 泄漏電流測(cè)試儀檢定裝置 HN系列 兆歐表檢定裝置 30年經(jīng)驗(yàn)

HN8061A

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用于檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
電壓分兩檔：0～500V  0～5000V  -10000V
 短路電流：0～2mA    0～20mA
電阻0-200G-1T-10T半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。

HN8062A接地電阻表校驗(yàn)裝置

用于檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產(chǎn)的型號(hào)的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進(jìn)口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調(diào)節(jié)范圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點(diǎn)。從少量到大量泄漏泄漏的嚴(yán)重程度由氣體流速表示。氣流由Hi-flowSampler而非熱像儀測(cè)得。氣體流速小于.1立方英尺/分鐘(cfm)被視為輕度泄漏，.1至.5cfm被視為中度泄漏，大于.5cfm被視為重度泄漏。檢測(cè)人員共發(fā)現(xiàn)1,977處泄漏。其中65%，或者說(shuō)1,291處泄漏，為輕度泄漏。其中32%，或者說(shuō)63處泄漏，為中度泄漏。另外3%，或者說(shuō)56處泄漏，為重度泄漏。發(fā)現(xiàn)的泄漏僅為.1cfm，而泄漏達(dá)7.85cfm。

HN8063A耐電壓測(cè)試儀校驗(yàn)裝置

1、測(cè)量準(zhǔn)度： 

電壓：1000v  2500v  5000v  10000v  30000v

準(zhǔn)度：1級(jí)  0.5級(jí)  0.2級(jí)當(dāng)轉(zhuǎn)換開關(guān)K與零線接通時(shí)，測(cè)試儀所采樣的是中線與外殼間的泄漏電流；當(dāng)K與相線接通時(shí)，測(cè)試的是相線與外殼間的泄漏電流。必須注意的是：K與零線接通或K與相線接通，泄漏電流不一定相同。這是因?yàn)榧矣秒娖鹘^緣弱點(diǎn)的位置是隨機(jī)的。泄漏電流測(cè)試應(yīng)通過(guò)K轉(zhuǎn)換極性，取其中的較大值作為被測(cè)電熱的泄漏電流值。測(cè)試注意事項(xiàng)在工作溫度下測(cè)量泄漏電流時(shí)，如果被測(cè)電器不是通過(guò)隔離變壓器供電，被測(cè)電器應(yīng)彩絕緣性能可靠的物質(zhì)絕緣墊與地絕緣。

HN8065A型泄漏電流測(cè)試儀檢定裝置

一、性能特點(diǎn)

1、源、表測(cè)量范圍：

       電壓源（AC，DC）：電壓：250V、50V、5V

       電流源（AC，DC）：20mA、2mA

       頻率計(jì)：10-100HzTEMCELL一般只找方值，使測(cè)試結(jié)果對(duì)擺放的位置比較敏感。另外，還有一種測(cè)試工具較箱，有的設(shè)計(jì)公司用來(lái)對(duì)天線進(jìn)行有源測(cè)試，這種方法很不可行。一方面由于測(cè)試距離太近，另一方面由于沒有足夠的吸波材料，外部干擾對(duì)天線的測(cè)試影響比較大，這樣導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果對(duì)位置比較敏感，稍微改變一下位置測(cè)試結(jié)果就有比較大的改變，因此這種測(cè)試方法對(duì)天線的性能沒有多少的參考意義。用耦合測(cè)試板測(cè)試天線性能在生產(chǎn)過(guò)程中為了保證產(chǎn)品的生產(chǎn)品質(zhì)，往往要進(jìn)行天線的耦合測(cè)試。

HN8066A型接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀檢定裝置

2、一次額定電流：25A、2.5A。(大30A、3A)

3、電阻四盤連續(xù)帶電可調(diào)。

4、直接指示一次電流值，可做交直流大電流標(biāo)準(zhǔn)表用。結(jié)論是：一段高阻抗線可以等效為電感，一段低阻抗線等效為一個(gè)到地電容。（如果理解傳輸線的特征阻抗用微分形式的集總參數(shù)表示為sqrt（L/C），高阻L一定很大，低阻C一定很大，就可以比較形象的理解此等效原理。）高低阻抗線等效電路3.平面低通設(shè)計(jì)實(shí)列一個(gè)平面低通遵循下列設(shè)計(jì)步驟。1)規(guī)劃高低阻抗線阻抗，高阻受限于線條加工能力和功率容量，一般小功率應(yīng)用可以取到0.15mm，低阻寬度受到濾波器尺寸限制，受到長(zhǎng)寬比限制。

HN8068A型回路電阻測(cè)試儀，直流電阻測(cè)試儀檢定裝置

2 一次額定電流：

1A、10A、100A、200A、300A、600A

3 電阻盤0、1、2、3……20帶電可調(diào)。

4 直接指示一次電流值,可做直流大電流標(biāo)準(zhǔn)表用。

回路電阻測(cè)試儀校驗(yàn)儀 泄漏電流測(cè)試儀檢定裝置 HN系列 兆歐表檢定裝置 30年經(jīng)驗(yàn)紅外攝像機(jī)因?yàn)闊o(wú)損檢測(cè)使用的紅外攝像機(jī)要以高靈敏度捕捉瞬變現(xiàn)象，因此需要有高時(shí)間分辨率的高幀速率。每個(gè)像素的空間分辨率由與紅外攝像機(jī)一起使用的透鏡所決定的空間分辨率視角決定，如要檢測(cè)大型目標(biāo)和精細(xì)區(qū)域，要使用高像素的紅外攝像機(jī)。2.光激發(fā)無(wú)損檢測(cè)-光學(xué)增強(qiáng)方法的基本原理為光激發(fā)無(wú)損檢測(cè)裝置概圖。該方法分為所示的脈沖熱成像和所示的鎖相熱成像兩種。-脈沖熱成像的基本原理脈沖熱成像方法通過(guò)瞬間燈光激發(fā)使測(cè)量對(duì)象出現(xiàn)溫度上升,在溫度下降的過(guò)程中，通過(guò)圖像顯示正常位置和缺陷位置出現(xiàn)的溫度變化和時(shí)間相位滯后。