HN2016智能sf6微水測(cè)試儀冷鏡式露點(diǎn)儀 氣體抽真空充放裝置 sf6冷鏡法露點(diǎn)儀 5年保修

露點(diǎn)	測(cè)量範(fàn)圍	－80 ℃～+20 ℃
	測(cè)量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測(cè)量時(shí)間 （＋20℃）	<3分鐘。
環(huán)境溫度	－40℃～＋60℃

給各分管路打壓，檢測(cè)哪一路地暖盤(pán)管可能漏水自從FLIRONRPRO紅外熱像儀應(yīng)運(yùn)而生，一切都迎刃而解。整個(gè)檢測(cè)過(guò)程和要點(diǎn)主要概括為下麵幾步：步，通過(guò)對(duì)地暖各分路進(jìn)行打壓，判斷存在漏水的管道。在現(xiàn)場(chǎng)我們發(fā)現(xiàn)，路管道施加5公斤壓力後，在3分鐘內(nèi)隻剩下1公斤壓力，屬於明顯的漏水可疑對(duì)象，而其他二路並無(wú)失壓情況。據(jù)此，我們初步判斷路地暖盤(pán)管存在漏水情況。得出結(jié)果後，接下來(lái)就需要使用FLIRONEPRO紅外熱像儀查找具體漏水點(diǎn)。1、連接SF₆設(shè)備

將測(cè)量管道上螺紋端與開(kāi)關(guān)接頭連接好，用扳手?jǐn)Q緊，關(guān)閉測(cè)量管道上另一端的針型閥；

再把測(cè)試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

後將開(kāi)關(guān)接頭與SF₆電氣設(shè)備測(cè)量接口連接好，用扳手?jǐn)Q緊；

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時(shí)，請(qǐng)查看右上角顯示的電池電量，如果電量低於約20％，請(qǐng)關(guān)機(jī)充電後繼續(xù)使用。

3、開(kāi)始測(cè)量

打開(kāi)儀測(cè)量管道上的針型閥，然後用麵板上的流量閥調(diào)節(jié)流量，把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右，開(kāi)始測(cè)量SF₆露點(diǎn)。

設(shè)備測(cè)量時(shí)間需要5～10分鐘，其後每臺(tái)設(shè)備需要3～5分鐘。

4、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

設(shè)備測(cè)量完成後，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調(diào)出操作菜單，具體操作方式見(jiàn)下節(jié)內(nèi)容。傳感器對(duì)某一物理量的準(zhǔn)確程度取決於傳感器的性能指標(biāo)。為了確定傳感器的測(cè)量範(fàn)圍、準(zhǔn)確性，必須對(duì)傳感器的性能指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試。對(duì)新研製的傳感器，必須進(jìn)行的技術(shù)性能的測(cè)試和校準(zhǔn)，用測(cè)試和校準(zhǔn)的數(shù)據(jù)確定其測(cè)試範(fàn)圍、準(zhǔn)確程度。對(duì)於標(biāo)準(zhǔn)型的傳感器，用校準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行量值傳遞。這些測(cè)試數(shù)據(jù)，既是衡量傳感器好壞的依據(jù)，也是改進(jìn)傳感器設(shè)計(jì)和工藝的依據(jù)。傳感器經(jīng)過(guò)一段時(shí)間儲(chǔ)存或使用後，性能指標(biāo)是會(huì)發(fā)生變化的，因此對(duì)傳感器的性能指標(biāo)要定期進(jìn)行複測(cè)。

5、測(cè)量其他設(shè)備

一臺(tái)設(shè)備測(cè)量後，關(guān)閉測(cè)量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF₆電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測(cè)量其他設(shè)備，按照上麵步驟繼續(xù)測(cè)量下一臺(tái)設(shè)備。

6、測(cè)量結(jié)束

所有設(shè)備測(cè)量結(jié)束後，關(guān)閉儀器電源。

一、 菜單操作

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)確定鍵可以進(jìn)入功能菜單，如圖1。

1、保存數(shù)據(jù)

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入保存數(shù)據(jù)頁(yè)麵，保存數(shù)據(jù)時(shí)，可以根據(jù)設(shè)備進(jìn)行編號(hào)。

設(shè)備編號(hào)多為六位，可以通過(guò)“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號(hào)後，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁(yè)，此時(shí)不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入查看記錄頁(yè)麵。

顯示時(shí)從後一個(gè)被保存的數(shù)據(jù)開(kāi)始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。有必要采用一些其他方法來(lái)提高傳導(dǎo)EMI的性能。本文主要討論的是引入輸入濾波器來(lái)濾除噪聲，或增加罩來(lái)鎖住噪聲。EMI濾波器示意簡(jiǎn)圖是一個(gè)簡(jiǎn)化的EMI濾波器，包括共模（CM）濾波器和差模（DM）濾波器。通常，DM濾波器主要用於濾除小於30MHz的噪聲（DM噪聲），CM濾波器主要用於濾除30MHz至100MHz的噪聲（CM噪聲）。但其實(shí)這兩個(gè)濾波器對(duì)於整個(gè)頻段的EMI噪聲都有一定的作用。顯示了一個(gè)不帶濾波器的輸入引線噪聲，包括正向噪聲和負(fù)向噪聲，並標(biāo)注了這些噪聲的峰值水平和平均水平。

3、刪除記錄

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時(shí)間

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時(shí)間，按“確定”鍵，進(jìn)入修改時(shí)間頁(yè)麵。

通過(guò)“上”、“下”鍵可以增加時(shí)間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時(shí)間數(shù)值。

輸入小時(shí)、分鐘、秒後，按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個(gè)修改域內(nèi)。

 半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。