HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
來電諮詢 衝擊電壓試驗裝置 乾式試驗變壓器 交流耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

ETCR3數(shù)字式接地電阻測試儀專為現(xiàn)場測量接地電阻而精心設(shè)計製造的，采用數(shù)字及微處理技術(shù)，3線或2線法測量接地電阻，具有特的線阻校驗功能、抗乾擾能力和環(huán)境適應(yīng)能力，確保長年測量的高精度、高穩(wěn)定性和可靠性。其廣泛應(yīng)用於電力、電信、氣象、油田、建築、防雷及工業(yè)電氣設(shè)備等的接地電阻測量。ETCR3數(shù)字式接地電阻測試儀具有特的線阻校驗功能，對現(xiàn)場低值接地電阻測量更，能避免因測試線長時間使用線阻變化引起的誤差；能避免因測試線未完全插入儀表接口或接觸引起的誤差；能避免因用戶更換或加長測試線引起的誤差等。從被測物體開始，每隔5～1米分彆將P、C輔助接地棒呈一條直線深埋入大地，將接地測試線(綠、黃、紅)從儀表的P、C接口開始對應(yīng)連接到被測接地極輔助電壓極P、輔助電流極C上。不使用輔助接地棒的簡易測量法，利用現(xiàn)有的接地電阻值的接地極作為輔助接地極，使用2條簡易測試線連接(即其中P接口短接)?？梢岳媒饘偎堋⑾浪ǖ冉饘俾裨O(shè)物、商用電力係統(tǒng)的共同接地或建築物的防雷接地極等來代替輔助接地棒P，測量時注意去除所選金屬輔助接地體連接點的氧化層。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)範執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

其中，n為大於1的自然數(shù)，an代表第n個補償周期獲取的補償參數(shù)，mn-1代表第n-1個補償周期存儲的補償餘數(shù)，nn代表RTC模塊的補償單位，b代表RTC模塊的補償單位的整數(shù)倍，mn代表第n個補償周期的補償餘數(shù)。在第n個補償周期中，所述根據(jù)所述補償校準值和所述補償餘數(shù)對RTC模塊的時鐘頻率進行校準，具體包括：按照所述第n個補償周期的補償校準值對所述RTC模塊的時鐘頻率進行校準，並存儲所述第n個補償周期的補償餘數(shù)。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞，關(guān)於這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自於驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。