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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的國際標(biāo)準規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped) 的閃電突波(L.I)定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡介:

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗,檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器x10檔結(jié)構(gòu)模型此時示波器輸入信號衰減為被測入信號的1/10。對於較高頻率的輸入信號,容抗對於信號的影響會大於阻抗。,在x10檔時,輸入阻抗為10MΩ,輸入電容10pF,輸入信號的頻率為100MHz,此時,輸入容抗為Xc(Cp)=1/(2×π×f×C)=159Ω,此時容抗遠遠小於阻抗,信號電流更多的會通過輸入電容提供的低阻回路,而高阻回路等效為旁路。作為測試的環(huán)節(jié),能否將信號高保真的傳輸至示波器是能否準確測試的重點,所以,在測試較高頻率信號時,需注意的帶寬和輸入電容是否合適,下表為ZDS2000係列示波器標(biāo)配參數(shù)。


衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped 的閃電突波L.I


直流充電樁是一個典型的強弱電結(jié)合的電子係統(tǒng),充電功率流的強電部分跟後臺的控製、顯示、通訊、計費等弱電係統(tǒng)集合在一起,EMC和可靠性兼顧的問題比較棘手。下麵簡要描下電源、CAN、RS485/232的隔離在直流樁上的應(yīng)用。充電樁示意圖直流樁的主要通信方式CAN-bus:根據(jù)GB/T2234.1-215《電動汽車傳導(dǎo)充電用連接裝置》的規(guī)範(fàn),直流樁與電動汽車通過CAN接口進行通信,每一個充電插頭都有CAN接口。定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動或自動完成充放電過程,真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間,能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時,根據(jù)設(shè)定值,自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時


在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路車輛熔斷器國標(biāo)中,對熔斷器的參數(shù)定義及測試指標(biāo)做了詳細的說明。完整的絲相關(guān)測試包含導(dǎo)通壓降測試,熔斷時間,級進電流及分段能力測試。本文主要以SF3和SF51為待測對象,重點介紹熔斷時間測試。熔斷時間實驗要求下圖摘自ISO882-1_27國標(biāo)中針對SF3和SF51的熔斷測試要求,熔斷時間需在過載電流從1.1IR~6.IR範(fàn)圍內(nèi)測試,當(dāng)過載電流越大,熔斷時間越快。定製定做 衝擊電壓發(fā)生裝置 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器

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